Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPP100N08S2L07XK
Изображение служит лишь для справки
IPP100N08S2L07XK
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：10 Weeks
- Surface Mount：NO
- Number of Terminals：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Manufacturer：Infineon Technologies AG
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Active
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Risk Rank：5.69
- Drain Current-Max (ID)：100 A
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer Part Number：IPP100N08S2L07XK
- Rohs Code：Yes
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- ECCN Code：EAR99
- Additional Feature：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：THROUGH-HOLE
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：compliant
- JESD-30 Code：R-PSFM-T3
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Drain-source On Resistance-Max：0.0068 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：400 A
- DS Breakdown Voltage-Min：75 V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：810 mJ
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты