(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NE325S01-T1B
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 3900
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：GALLIUM ARSENIDE
- Форма упаковки：MICROWAVE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Артикул Производителя：NE325S01-T1B
- Форма упаковки：UNSPECIFIED
- Производитель：NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：NEC COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICES LTD
- Ранг риска：5.23
- Максимальный ток утечки (ID)：0.02 A
- Дополнительная Характеристика：LOW NOISE
- Положение терминала：UNSPECIFIED
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：X-PXMW-G4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：DEPLETION MODE
- Сокетная связка：SOURCE
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Минимальная напряжённость разрушения：3 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：HETERO-JUNCTION
- Частотная полоса наивысшего режима：KU BAND
- Уголок мощности-минимум (Гп)：11 dB
Со склада 3900
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
