Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NE325S01-T1B
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 11600
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：YES
- Number of Terminals：4
- Transistor Element Material：GALLIUM ARSENIDE
- Package Style：MICROWAVE
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Manufacturer Part Number：NE325S01-T1B
- Package Shape：UNSPECIFIED
- Manufacturer：NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：NEC COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICES LTD
- Risk Rank：5.23
- Drain Current-Max (ID)：0.02 A
- Additional Feature：LOW NOISE
- Terminal Position：UNSPECIFIED
- Terminal Form：GULL WING
- Reach Compliance Code：unknown
- JESD-30 Code：X-PXMW-G4
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE
- Operating Mode：DEPLETION MODE
- Case Connection：SOURCE
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- DS Breakdown Voltage-Min：3 V
- FET Technology：HETERO-JUNCTION
- Highest Frequency Band：KU BAND
- Power Gain-Min (Gp)：11 dB
Со склада 11600
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты