Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2SJ527S-E
Изображение служит лишь для справки
2SJ527S-E
-
Renesas Electronics America
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 5A, 60V, 0.8ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：YES
- Number of Terminals：2
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Package Style：SMALL OUTLINE
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：20
- Rohs Code：Yes
- Manufacturer Part Number：2SJ527S-E
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Renesas Electronics Corporation
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Active
- Ihs Manufacturer：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Risk Rank：5.16
- Drain Current-Max (ID)：5 A
- JESD-609 Code：e6
- Pbfree Code：Yes
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：TIN BISMUTH
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：245
- Reach Compliance Code：compliant
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：P-CHANNEL
- Drain-source On Resistance-Max：0.8 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：20 A
- DS Breakdown Voltage-Min：60 V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты