(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные MTD3055V1
Изображение служит лишь для справки
MTD3055V1
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 12A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код упаковки производителя：CASE 369A-13
- Температура работы-Макс：175 °C
- Артикул Производителя：MTD3055V1
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Motorola Mobility LLC
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：MOTOROLA INC
- Ранг риска：5.12
- Максимальный ток утечки (ID)：12 A
- Код JESD-609：e0
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：12 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.15 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：37 A
- Минимальная напряжённость разрушения：60 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：72 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：48 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
