(0)
Изображение служит лишь для справки
BSM200GA120DN2
-
Infineon
-
Дискретные полупроводниковые
- 62 mm
- Insulated Gate Bipolar Transistor, 550A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5
Date Sheet
Lagernummer 666
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：62 mm
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：5
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：1200 V
- РХОС：Details
- Бренд：Infineon Technologies
- Партийные обозначения：SP000100725 BSM200GA120DN2HOSA1
- Монтажные варианты：Chassis Mount
- Пакетная партия производителя：10
- Минимальная температура работы：- 40 C
- Вес единицы：1 lb
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Распад мощности：1550 W
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：20 V
- Производитель：Infineon
- Артикул Производителя：BSM200GA120DN2
- Описание пакета：MODULE-5
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Время включения (тон)：210 ns
- Время отключения (toff)：630 ns
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Not Recommended
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：7.69
- Код упаковки компонента：MODULE
- Пакетирование：Tray
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Тип：Single
- Подкатегория：IGBTs
- Технология：Si
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：5
- Код JESD-30：R-XUFM-X5
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：Single
- Сокетная связка：ISOLATED
- Тип циркуляции：Single IGBT
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Тип продукта：IGBT Modules
- Максимальная потеря мощности (абс.)：1550 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：550 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：1200 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
- Максимальное напряжение на выходе：3.2 V
- Продукт：IGBT Silicon Modules
- Категория продукта：IGBT Modules
- Длина：106.4 mm
- Высота：36.5 mm
- Ширина：61.4 mm
- Высота (мм)：36.5 mm
Со склада 666
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
