Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BUK7219-55A
Изображение служит лишь для справки
BUK7219-55A
-
NXP USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 55A, 55V, 0.019ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, PLASTIC, TO-252, SC-63, DPAK, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 70000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：YES
- Number of Terminals：2
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：PLASTIC, TO-252, SC-63, DPAK, 3 PIN
- Package Style：SMALL OUTLINE
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Operating Temperature-Max：175 °C
- Rohs Code：Yes
- Manufacturer Part Number：BUK7219-55A
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：NXP Semiconductors
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Transferred
- Ihs Manufacturer：NXP SEMICONDUCTORS
- Risk Rank：5.23
- Part Package Code：TO-252AA
- Drain Current-Max (ID)：55 A
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：Yes
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Subcategory：FET General Purpose Power
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- JEDEC-95 Code：TO-252AA
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：55 A
- Drain-source On Resistance-Max：0.019 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：250 A
- DS Breakdown Voltage-Min：55 V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：120 mJ
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：114 W
Со склада 70000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты