Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSC011N03LSIXT
Изображение служит лишь для справки
BSC011N03LSIXT
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TDSON-8
- MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Package / Case：TDSON-8
- RoHS：Details
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Transistor Polarity：N-Channel
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：30 V
- Id - Continuous Drain Current：230 A
- Rds On - Drain-Source Resistance：1.1 mOhms
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：2 V
- Qg - Gate Charge：68 nC
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Pd - Power Dissipation：96 W
- Channel Mode：Enhancement
- Tradename：OptiMOS
- Forward Transconductance - Min：80 S
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：5000
- Typical Turn-Off Delay Time：35 ns
- Typical Turn-On Delay Time：6.4 ns
- Part # Aliases：SP000884574 BSC011N03LSIATMA1
- Packaging：MouseReel
- Configuration：Single
- Number of Channels：1 Channel
- Rise Time：9.2 ns
- Transistor Type：1 N-Channel
- Height：1.27 mm
- Length：5.9 mm
- Width：5.15 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты