Изображение служит лишь для справки
BCY59-IX TIN/LEAD
- Central Semiconductor
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-18-3
- Bipolar Transistors - BJT NPN 45Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W
- Date Sheet
Lagernummer 36
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:TO-18-3
- РХОС:N
- Монтажные варианты:Through Hole
- Полярность транзистора:NPN
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:45 V
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:7 V
- Максимальный постоянный ток сбора:200 mA
- Распад мощности:340 mW
- Параметр частотно-уровневого продукта fT:150 MHz
- Минимальная температура работы:- 65 C
- Максимальная рабочая температура:+ 200 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:40 at 10 uA, 5 V
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:460 at 2 mA, 5 V
- Пакетная партия производителя:2000
- Торговое наименование:0
- Серия:BCY59
- Пакетирование:Bulk
- Конфигурация:Single
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):45 V
- Прямоходящий ток коллектора:100 mA
Со склада 36
Итого $0.00000