Изображение служит лишь для справки
2N5680 TIN/LEAD
- Central Semiconductor
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-39-3
- Bipolar Transistors - BJT PNP 120Vcbo 120Vceo 4.0Vebo 1.0A 1.0W
- Date Sheet
Lagernummer 36
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:TO-39-3
- РХОС:N
- Монтажные варианты:Through Hole
- Полярность транзистора:PNP
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:120 V
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:4 V
- Максимальный постоянный ток сбора:-
- Распад мощности:1 W
- Параметр частотно-уровневого продукта fT:30 MHz
- Минимальная температура работы:- 65 C
- Максимальная рабочая температура:+ 200 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:40
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:150
- Пакетная партия производителя:500
- Серия:2N5680
- Пакетирование:Bulk
- Конфигурация:Single
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):120 V
- Прямоходящий ток коллектора:1 A
Со склада 36
Итого $0.00000