Изображение служит лишь для справки
JAN2N6032
- Microchip
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-3-2
- Bipolar Transistors - BJT Power BJT
- Date Sheet
Lagernummer 957
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:TO-3-2
- Вид крепления:Through Hole
- Поставщик упаковки устройства:TO-3
- РХОС:N
- Монтажные варианты:Through Hole
- Полярность транзистора:NPN
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:90 V
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:7 V
- Распад мощности:140 W
- Параметр частотно-уровневого продукта fT:-
- Минимальная температура работы:- 65 C
- Максимальная рабочая температура:+ 200 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:10
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:50
- Пакетная партия производителя:1
- Пакет:Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic):50 A
- Mfr:Microchip Technology
- Состояние продукта:Active
- Пакетирование:Tray
- Рабочая температура:-65°C ~ 200°C (TA)
- Серия:Military, MIL-PRF-19500/528
- Конфигурация:Single
- Мощность - Макс:140 W
- Тип транзистора:NPN
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:10 @ 50A, 2.6V
- Ток - отсечка коллектора (макс):25mA (ICBO)
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):90 V
- Частота - Переход:-
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):120 V
- Прямоходящий ток коллектора:50 A
Со склада 957
Итого $0.00000