APT9F100B

Name: Microchip Technology APT9F100B
Brand: Microchip Technology
Rating: 4.9 (19 reviews)

Microchip Technology
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-247-3
MOSFET FG, FREDFET, 1000V, TO-247View in Development Tools Selector
Date Sheet

Lagernummer 23

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-247-3
Вид крепления：Through Hole
Поставщик упаковки устройства：TO-247 [B]
РХОС：Details
Монтажные варианты：Through Hole
Полярность транзистора：N-Channel
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：1 kV
Id - Непрерывный ток разряда：9 A
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：1.6 Ohms
Усв：- 30 V, + 30 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
Зарядная характеристика ворот：80 nC
Минимальная температура работы：- 55 C
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Распад мощности：337 W
Режим канала：Enhancement
Минимальная прямая транконductанс：10 S
Пакетная партия производителя：1
Время задержки отключения типичного：84 ns
Время типичного задержки включения：27 ns
Вес единицы：0.211644 oz
Прямоходящий ток вывода Id：9
Пакет：Tube
Основной номер продукта：APT9F100
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：9A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Mfr：Microchip Technology
Максимальная мощность рассеяния：337W (Tc)
Состояние продукта：Active
Пакетирование：Tube
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Серия：POWER MOS 8™
Конфигурация：Single
Распад мощности：337
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.6Ohm @ 5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2606 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：80 nC @ 10 V
Время подъема：27 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：1000 V
Угол настройки (макс.)：±30V
Канальный тип：N
Характеристика ТРП：-

Со склада 23

Итого $0.00000