Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APT5017SVRG
Изображение служит лишь для справки
APT5017SVRG
- Microchip Technology
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- D3PAK-3
- MOSFET FG, MOSFET, 500V, 0.17_OHM, D3, TO-268, RoHSView in Development Tools Selector
- Date Sheet
Lagernummer 71
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:D3PAK-3
- Вид крепления:Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства:D3 [S]
- РХОС:Details
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Полярность транзистора:N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:500 V
- Id - Непрерывный ток разряда:30 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:170 mOhms
- Усв:- 30 V, + 30 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:4 V
- Зарядная характеристика ворот:200 nC
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Распад мощности:370 W
- Режим канала:Enhancement
- Пакетная партия производителя:1
- Вес единицы:0.218699 oz
- Прямоходящий ток вывода Id:30
- Пакет:Tube
- Основной номер продукта:APT5017
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:30A (Tc)
- Mfr:Microchip Technology
- Состояние продукта:Active
- Пакетирование:Tube
- Серия:POWER MOS V®
- Каналов количество:1 Channel
- Распад мощности:370
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:170mOhm @ 500mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:5280 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:300 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):500 V
- Канальный тип:N
- Характеристика ТРП:-
Со склада 71
Итого $0.00000