Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные R6055VNXC7G
Изображение служит лишь для справки
R6055VNXC7G
- ROHM Semiconductor
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220FM-3
- MOSFET 600V 23A TO-220FM POWER MOSFET
- Date Sheet
Lagernummer 822
- 1+: $3.38798
- 10+: $3.19621
- 100+: $3.01529
- 500+: $2.84462
- 1000+: $2.68360
Zwischensummenbetrag $3.38798
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:TO-220FM-3
- Вид крепления:Through Hole
- Поставщик упаковки устройства:TO-220FM
- Монтажные варианты:Through Hole
- Полярность транзистора:N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:600 V
- Id - Непрерывный ток разряда:23 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:71 mOhms
- Усв:- 30 V, + 30 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:6.5 V
- Зарядная характеристика ворот:80 nC
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Распад мощности:100 W
- Режим канала:Enhancement
- Пакетная партия производителя:50
- Время задержки отключения типичного:105 ns
- Время типичного задержки включения:35 ns
- Пакет:Tube
- Основной номер продукта:R6055VN
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:23A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V, 15V
- Mfr:Rohm Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния:100W (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Пакетирование:Tube
- Рабочая температура:150°C (TJ)
- Серия:-
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:71mOhm @ 16A, 15V
- Втс(th) (Макс) @ Id:6.5V @ 1.5mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:3700 pF @ 100 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:80 nC @ 10 V
- Время подъема:35 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):600 V
- Угол настройки (макс.):±30V
- Тип транзистора:1 N-Channel
- Характеристика ТРП:-
Со склада 822
- 1+: $3.38798
- 10+: $3.19621
- 100+: $3.01529
- 500+: $2.84462
- 1000+: $2.68360
Итого $3.38798