(0)
Изображение служит лишь для справки
NXH350N100H4Q2F2P1G-R
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Модули IGBT
- Q2PACK-42
- IGBT Modules GEN1.5 1500V MASS MARKET
Date Sheet
Lagernummer 2672
- 1+： $183.08664
- 10+： $172.72324
- 100+： $162.94646
- 500+： $153.72307
- 1000+： $145.02177
Zwischensummenbetrag $183.08664
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：Q2PACK-42
- Вид крепления：Chassis Mount
- Поставщик упаковки устройства：42-PIM/Q2PACK (93x47)
- Пакетная партия производителя：12
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：- 20 V, + 20 V
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Минимальная температура работы：- 40 C
- Распад мощности：731 W
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：1 kV
- Максимальное напряжение обратной полярности：2.6 V
- Максимальное напряжение насыщения эмиттера-коллектора：2.3 V
- Максимальный прямой ток：133 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：1000 V
- Максимальный постоянный ток сбора：303 A
- Минимальное напряжение изоляции：4000 V
- Пакет：Tray
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：303 A
- Основной номер продукта：NXH350
- Mfr：onsemi
- Состояние продукта：Active
- Пакетирование：Tray
- Рабочая температура：-40°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：-
- Конфигурация：Three Level Inverter
- Мощность - Макс：592 W
- Ввод：Standard
- Ток - отсечка коллектора (макс)：1 mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1000 V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.3V @ 15V, 375A
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Термистор с изменяемым сопротивлением：Yes
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce：24146 pF @ 20 V
- Продукт：IGBT Silicon Modules
Со склада 2672
- 1+： $183.08664
- 10+： $172.72324
- 100+： $162.94646
- 500+： $153.72307
- 1000+： $145.02177
Итого $183.08664
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
