NVMJST0D9N04CTXG

Name: ON Semiconductor NVMJST0D9N04CTXG
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.6 (7 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TCPAK-10
MOSFET TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TCPAK-10
Вид крепления：Surface Mount
Поставщик упаковки устройства：10-TCPAK
Режим канала：Enhancement
Минимальная прямая транконductанс：190 S
Пакетная партия производителя：3000
Распад мощности：555 W
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Минимальная температура работы：- 55 C
Зарядная характеристика ворот：86 nC
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3.5 V
Усв：- 20 V, + 20 V
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：1.07 mOhms
Id - Непрерывный ток разряда：531 A
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：40 V
Полярность транзистора：N-Channel
Монтажные варианты：SMD/SMT
Время типичного задержки включения：54 ns
Время задержки отключения типичного：227 ns
Состояние продукта：Active
Максимальная мощность рассеяния：555W (Tc)
Mfr：onsemi
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：531A (Tc)
Основной номер продукта：NVMJST0D9
Пакет：Tape & Reel (TR)
Серия：NVMJST0D9N04C
Пакетирование：Reel
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.07mOhm @ 50A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 190µA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：6100 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：86 nC @ 10 V
Время подъема：162 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：40 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Характеристика ТРП：-

Со склада 0

Итого $0.00000