Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NVLJWS013N03CLTAG
Изображение служит лишь для справки
NVLJWS013N03CLTAG
- ON Semiconductor
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- WDFNW-6
- MOSFET T6 30V LL 2X2 WDFNW6
- Date Sheet
Lagernummer 3639
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:WDFNW-6
- Вид крепления:Surface Mount, Wettable Flank
- Поставщик упаковки устройства:6-WDFNW (2.05x2.05)
- Зарядная характеристика ворот:10 nC
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Распад мощности:27 W
- Режим канала:Enhancement
- Время типичного задержки включения:7 ns
- Время задержки отключения типичного:18 ns
- Пакетная партия производителя:3000
- Минимальная прямая транконductанс:27 S
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2 V
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:18 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:35 A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:30 V
- Полярность транзистора:N-Channel
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Максимальная мощность рассеяния:2.4W (Ta), 27W (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Основной номер продукта:NVLJWS013
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:10A (Ta), 35A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
- Mfr:onsemi
- Серия:NVLJWS013N03CL
- Пакетирование:Reel
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:13mOhm @ 8A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:600 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:10 nC @ 10 V
- Время подъема:2 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):30 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Характеристика ТРП:-
Со склада 3639
Итого $0.00000