(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STWA68N65DM6AG
Изображение служит лишь для справки
STWA68N65DM6AG
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3
- MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFETComplete Your Design
Date Sheet
Lagernummer 473
- 1+： $5.68744
- 10+： $5.36551
- 100+： $5.06180
- 500+： $4.77529
- 1000+： $4.50499
Zwischensummenbetrag $5.68744
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Поставщик упаковки устройства：TO-247 Long Leads
- Пакетная партия производителя：600
- Торговое наименование：MDmesh
- Квалификация：AEC-Q100
- РХОС：Details
- Прямоходящий ток вывода Id：72
- Пакет：Bulk
- Основной номер продукта：STWA68
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：72A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：STMicroelectronics
- Максимальная мощность рассеяния：480W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Число элементов на чипе：2
- Формат упаковки：TO-247
- Режим канала：Enhancement
- Пакетирование：Tube
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Число контактов：3
- Распад мощности：480
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：39mOhm @ 36A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4.75V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：5900 pF @ 100 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：118 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：650 V
- Угол настройки (макс.)：±25V
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：-
Со склада 473
- 1+： $5.68744
- 10+： $5.36551
- 100+： $5.06180
- 500+： $4.77529
- 1000+： $4.50499
Итого $5.68744
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
