(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IRHNA7460SESCS
Изображение служит лишь для справки
IRHNA7460SESCS
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Время задержки включения типового (ns)：35(Max)
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Surface Mount
- Высота корпуса：3.07(Max)
- Ширина пакета：17.65(Max)
- Длина корпуса：13.46(Max)
- Плата изменена：3
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- ЭККН (США)：Contact Export
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：500
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：20
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：220(Max)@12V
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：3500@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：300000
- Время падения типового (ns)：100(Max)
- Время подъема типового сигнала (нс)：100(Max)
- Время задержки отключения типовая (сек)：100(Max)
- Стандартное наименование упаковки：SMD
- Поставщикская упаковка：SMD-2
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Канальный тип：N
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
