Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы MMFTN170
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ:Compliant
- ЭККН (США):EAR99
- Автомобильные:No
- Пакет подготовки для производства:No
- Категория:Small Signal
- Режим канала:Enhancement
- Число элементов на чипе:1
- Максимальное напряжение источника тока (В):60
- Максимальное напряжение источника транзистора (В):±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А):0.5
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ):40@10V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт):300
- Время задержки отключения типовая (сек):10(Max)
- Время задержки включения типового (ns):10(Max)
- Минимальная температура работы (°C):-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C):150
- Монтаж:Surface Mount
- Ширина пакета:1.3
- Длина корпуса:2.9
- Плата изменена:3
- Стандартное наименование упаковки:SOT
- Поставщикская упаковка:SOT-23
- Форма вывода:Gull-wing
- Пакетирование:Tape and Reel
- Состояние изделия:Active
- Число контактов:3
- Конфигурация:Single
- Канальный тип:N
Со склада 0
Итого $0.00000