(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFH42N50P2
Изображение служит лишь для справки
IXFH42N50P2
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- СВХК：Yes
- Превышает Порог SVHC：Yes
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：HiperFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：500
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±30
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：42
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：92@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：92
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：5300@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：830000
- Время падения типового (ns)：9
- Время подъема типового сигнала (нс)：12
- Время задержки отключения типовая (сек)：42
- Время задержки включения типового (ns)：23
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：21.46(Max)
- Ширина пакета：5.3(Max)
- Длина корпуса：16.26(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：TO-247
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：500 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
- Распад мощности：830 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 30 V, + 30 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：Through Hole
- Зарядная характеристика ворот：92 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：145 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：42 A
- Состояние изделия：Active
- Технология：Si
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single Dual Drain
- Каналов количество：1 Channel
- Канальный тип：N
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
