(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFN180N20
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 21
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Материал：Si
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：HiperFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：200
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：180
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：660@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：660
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：22000@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：700000
- Время падения типового (ns)：56
- Время подъема типового сигнала (нс)：85
- Время задержки отключения типовая (сек)：180
- Время задержки включения типового (ns)：55
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Screw
- Ширина пакета：25.42(Max)
- Длина корпуса：38.23(Max)
- Плата изменена：4
- Поставщикская упаковка：SOT-227B
- Состояние изделия：NRND
- Число контактов：4
- Конфигурация：Single Dual Source
- Канальный тип：N
Со склада 21
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
