(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFH150N15P
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 186
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- СВХК：Yes
- Превышает Порог SVHC：Yes
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：HiperFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：150
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：150
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：190@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：190
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：5800@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：714000
- Время падения типового (ns)：28
- Время подъема типового сигнала (нс)：33
- Время задержки отключения типовая (сек)：100
- Время задержки включения типового (ns)：30
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：175
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：21.46(Max)
- Ширина пакета：5.3(Max)
- Длина корпуса：16.26(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：TO-247
- Непрерывный ток стока：150(A)
- Дrain-Source On-Volt：150(V)
- Классификация Температурной Выносливости：Military
- Формат упаковки：TO-247
- Диапазон рабочей температуры：-55C to 175C
- Допустимый напряжений на затвор-исток：±20(V)
- Количество элементов：1
- Квантовозащитный：No
- Состояние изделия：Active
- Тип：Power MOSFET
- Число контактов：3
- Направленность：N
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：714(W)
- Канальный тип：N
Со склада 186
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
