(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFA72N20X3
Изображение служит лишь для справки
IXFA72N20X3
Lagernummer 552
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-263-3
- Евро РОШ：Compliant
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：200
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：72
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：55@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：55
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：3780@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：320000
- Время падения типового (ns)：11
- Время подъема типового сигнала (нс)：28
- Время задержки отключения типовая (сек)：78
- Время задержки включения типового (ns)：23
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Surface Mount
- Высота корпуса：4.83(Max)
- Ширина пакета：9.4(Max)
- Длина корпуса：10.41(Max)
- Плата изменена：2
- Tab：Tab
- Стандартное наименование упаковки：TO-263
- Поставщикская упаковка：D2PAK
- Форма вывода：Gull-wing
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：200 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
- Распад мощности：320 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Зарядная характеристика ворот：55 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：20 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：72 A
- Серия：HiPerFET
- Состояние изделия：Active
- Технология：Si
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Канальный тип：N
Со склада 552
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
