Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTA64N10L2-TRL
Изображение служит лишь для справки
IXTA64N10L2-TRL
Lagernummer 28
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:TO-263-3
- Евро РОШ:Compliant
- ЭККН (США):EAR99
- HTS:8541.29.00.95
- Автомобильные:No
- Пакет подготовки для производства:No
- Категория:Power MOSFET
- Режим канала:Enhancement
- Число элементов на чипе:1
- Максимальное напряжение источника тока (В):100
- Максимальное напряжение источника транзистора (В):±20
- Максимальное напряжение порога транзисторного ключа (В):4.5
- Максимальный непрерывный ток утечки (А):64
- Максимальный стоковый ток через затвор (нА):100
- Максимальный стоковый ток (мкА):5
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC):100@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк):100
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ):3620@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт):357000
- Время падения типового (ns):11
- Время подъема типового сигнала (нс):27
- Время задержки отключения типовая (сек):38
- Время задержки включения типового (ns):14
- Минимальная температура работы (°C):-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C):150
- Монтаж:Surface Mount
- Высота корпуса:4.7(Max)
- Ширина пакета:9.4(Max)
- Длина корпуса:10.41(Max)
- Плата изменена:2
- Tab:Tab
- Поставщикская упаковка:D2PAK
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:100 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2.5 V
- Распад мощности:357 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Зарядная характеристика ворот:100 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:32 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:64 A
- Пакетирование:Tape and Reel
- Состояние изделия:Active
- Технология:Si
- Число контактов:3
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Канальный тип:N
Со склада 28
Итого $0.00000