(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFB150N65X2
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 34
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：HiperFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：650
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±30
- Максимальное напряжение порога транзисторного ключа (В)：5
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：150
- Максимальный стоковый ток через затвор (нА)：200
- Максимальный стоковый ток (мкА)：50
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：355@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：355
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：21000@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：1560000
- Время падения типового (ns)：13
- Время подъема типового сигнала (нс)：30
- Время задержки отключения типовая (сек)：100
- Время задержки включения типового (ns)：55
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：26.59(Max)
- Ширина пакета：5.31(Max)
- Длина корпуса：20.29(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：PLUS 264
- MSL：-
- Квалификация：-
- Прямоходящий ток вывода Id：150A
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：1.56kW
- Канальный тип：N
Со склада 34
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
