(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFK320N17T2
Изображение служит лишь для справки
IXFK320N17T2
Lagernummer 319
- 1+： $20.22113
- 10+： $19.07654
- 100+： $17.99673
- 500+： $16.97805
- 1000+： $16.01703
Zwischensummenbetrag $20.22113
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-264
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：GigaMOS
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：170
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：320
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：640@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：640
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：45@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：1670000
- Время падения типового (ns)：230
- Время подъема типового сигнала (нс)：170
- Время задержки отключения типовая (сек)：115
- Время задержки включения типового (ns)：46
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：175
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：26.16(Max)
- Ширина пакета：5.13(Max)
- Длина корпуса：19.96(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：TO-264
- Распад мощности：1.67 mW
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：Through Hole
- Состояние изделия：Active
- Технология：Si
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Канальный тип：N
Со склада 319
- 1+： $20.22113
- 10+： $19.07654
- 100+： $17.99673
- 500+： $16.97805
- 1000+： $16.01703
Итого $20.22113
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
