(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFK34N80
Изображение служит лишь для справки
IXFK34N80
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-264-3
- Материал：Si
- Евро РОШ：Compliant
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：HiperFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：800
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：34
- Максимальное сопротивление источника тока (мОм)：240@10V
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：270@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：270
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：7500@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：560000
- Время падения типового (ns)：40
- Время подъема типового сигнала (нс)：45
- Время задержки отключения типовая (сек)：100
- Время задержки включения типового (ns)：45
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：26.16(Max)
- Ширина пакета：5.13(Max)
- Длина корпуса：19.96(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：TO-264AA
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：800 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：5 V
- Распад мощности：560 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：Through Hole
- Зарядная характеристика ворот：270 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：240 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：34 A
- Состояние изделия：NRND
- Технология：Si
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Канальный тип：N
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
