(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFK64N60P3
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 360
- 1+： $12.16461
- 10+： $11.47605
- 100+： $10.82646
- 500+： $10.21364
- 1000+： $9.63551
Zwischensummenbetrag $12.16461
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：600
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±30
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：64
- Максимальное сопротивление источника тока (мОм)：100@10V
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：145@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：145
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：9900@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：1130000
- Время падения типового (ns)：11
- Время подъема типового сигнала (нс)：17
- Время задержки отключения типовая (сек)：66
- Время задержки включения типового (ns)：43
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：26.16(Max)
- Ширина пакета：5.13(Max)
- Длина корпуса：19.96(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：TO-264
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Канальный тип：N
Со склада 360
- 1+： $12.16461
- 10+： $11.47605
- 100+： $10.82646
- 500+： $10.21364
- 1000+： $9.63551
Итого $12.16461
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
