Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFX180N15P
Изображение служит лишь для справки
IXFX180N15P
Lagernummer 33
- 1+: $11.00331
- 10+: $10.38048
- 100+: $9.79291
- 500+: $9.23859
- 1000+: $8.71565
Zwischensummenbetrag $11.00331
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:TO-247-3
- Евро РОШ:Compliant with Exemption
- СВХК:Yes
- Превышает Порог SVHC:Yes
- Автомобильные:No
- Пакет подготовки для производства:No
- Категория:Power MOSFET
- Технология производства:HiperFET
- Режим канала:Enhancement
- Число элементов на чипе:1
- Максимальное напряжение источника тока (В):150
- Максимальное напряжение источника транзистора (В):±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А):180
- Максимальное сопротивление источника тока (мОм):11@10V
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC):240@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк):240
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ):7000@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт):830000
- Время падения типового (ns):36
- Время подъема типового сигнала (нс):32
- Время задержки отключения типовая (сек):150
- Время задержки включения типового (ns):30
- Минимальная температура работы (°C):-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C):175
- Монтаж:Through Hole
- Высота корпуса:21.34(Max)
- Ширина пакета:5.21(Max)
- Длина корпуса:16.13(Max)
- Плата изменена:3
- Tab:Tab
- Поставщикская упаковка:PLUS 247
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:150 V
- Распад мощности:830 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Монтажные варианты:Through Hole
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:11 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:180 A
- Серия:IXFX180N15
- Состояние изделия:Active
- Технология:Si
- Число контактов:3
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Канальный тип:N
Со склада 33
- 1+: $11.00331
- 10+: $10.38048
- 100+: $9.79291
- 500+: $9.23859
- 1000+: $8.71565
Итого $11.00331