Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTP44N10T
Изображение служит лишь для справки
IXTP44N10T
Lagernummer 5331
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:TO-220-3
- Евро РОШ:Compliant with Exemption
- ЭККН (США):EAR99
- HTS:8541.29.00.95
- Автомобильные:Unknown
- Пакет подготовки для производства:Unknown
- Категория:Power MOSFET
- Технология производства:TrenchFET
- Режим канала:Enhancement
- Число элементов на чипе:1
- Максимальное напряжение источника тока (В):100
- Максимальное напряжение источника транзистора (В):±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А):44
- Максимальное сопротивление источника тока (мОм):30@10V
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC):27.4@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк):27.4
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ):1567@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт):130000
- Время падения типового (ns):32
- Время подъема типового сигнала (нс):47
- Время задержки отключения типовая (сек):36
- Время задержки включения типового (ns):21
- Минимальная температура работы (°C):-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C):175
- Монтаж:Through Hole
- Высота корпуса:9.15(Max)
- Ширина пакета:4.83(Max)
- Длина корпуса:10.66(Max)
- Плата изменена:3
- Tab:Tab
- Поставщикская упаковка:TO-220
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:100 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2.5 V
- Распад мощности:130 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Монтажные варианты:Through Hole
- Зарядная характеристика ворот:27.4 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:30 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:44 A
- Состояние изделия:Active
- Технология:Si
- Число контактов:3
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Канальный тип:N
Со склада 5331
Итого $0.00000