(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFH22N60P3
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 976
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- СВХК：Yes
- Превышает Порог SVHC：Yes
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：Polar3 HiperFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：600
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±30
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：22
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：38@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：38
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：2600@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：500000
- Время падения типового (ns)：19
- Время подъема типового сигнала (нс)：17
- Время задержки отключения типовая (сек)：54
- Время задержки включения типового (ns)：28
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：21.45(Max)
- Ширина пакета：5.3(Max)
- Длина корпуса：16.24(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Стандартное наименование упаковки：TO-247
- Поставщикская упаковка：TO-247AD
- Форма вывода：Through Hole
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Канальный тип：N
Со склада 976
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
