(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFQ90N20X3
Изображение служит лишь для справки
IXFQ90N20X3
Lagernummer 21
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-3P-3
- Евро РОШ：Compliant
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：200
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：90
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：78@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：78
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：5420@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：390000
- Время падения типового (ns)：13
- Время подъема типового сигнала (нс)：26
- Время задержки отключения типовая (сек)：62
- Время задержки включения типового (ns)：22
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Through Hole
- Ширина пакета：4.9(Max)
- Длина корпуса：15.8(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：TO-3P
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：200 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
- Распад мощности：390 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：Through Hole
- Зарядная характеристика ворот：78 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：12.8 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：90 A
- Состояние изделия：Active
- Технология：Si
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Канальный тип：N
Со склада 21
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
