Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTT10P60
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 32
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Материал:Si
- Евро РОШ:Compliant with Exemption
- СВХК:Yes
- Превышает Порог SVHC:Yes
- Автомобильные:No
- Пакет подготовки для производства:No
- Категория:Power MOSFET
- Режим канала:Enhancement
- Число элементов на чипе:1
- Максимальное напряжение источника тока (В):600
- Максимальное напряжение источника транзистора (В):±20
- Максимальное напряжение порога транзисторного ключа (В):5
- Температурный диапазон работы (°C):-55 to 150
- Максимальный непрерывный ток утечки (А):10
- Максимальный стоковый ток через затвор (нА):100
- Максимальный стоковый ток (мкА):25
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC):135@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк):135
- Типовая зарядка канала к земле (нК):45
- Характеристическое зарядное напряжение (нК):30
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ):4665@25V
- Характеристическое обратное передача ёмкость @ Vds (пФ):157@25V
- Минимальное напряжение порога транзистора (В):3
- Характеристическая емкость вывода (пФ):437
- Максимальная мощность рассеяния (мВт):300000
- Время падения типового (ns):35
- Время подъема типового сигнала (нс):27
- Время задержки отключения типовая (сек):85
- Время задержки включения типового (ns):33
- Минимальная температура работы (°C):-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C):150
- Максимальное напряжение источника положительного затвора (В):20
- Максимальный импульсный ток утечки @ TC=25°C (А):40
- Типовая напряжённость плато канала (В):5
- Время обратной рекомпенсации типовая (нс):500
- Максимальное напряжение обратной связи диода (В):3
- Монтаж:Surface Mount
- Высота корпуса:5.1(Max)
- Ширина пакета:14(Max)
- Длина корпуса:16.05(Max)
- Плата изменена:2
- Tab:Tab
- Поставщикская упаковка:TO-268
- Состояние изделия:Active
- Число контактов:3
- Конфигурация:Single
- Канальный тип:P
Со склада 32
Итого $0.00000