(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTK170N10P
Изображение служит лишь для справки
IXTK170N10P
Lagernummer 21
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-264-3
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：Polar
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：100
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：170
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：198@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：198
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：6000@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：715000
- Время падения типового (ns)：33
- Время подъема типового сигнала (нс)：50
- Время задержки отключения типовая (сек)：90
- Время задержки включения типового (ns)：35
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：175
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：26.16(Max)
- Ширина пакета：5.13(Max)
- Длина корпуса：19.96(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：TO-264
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：100 V
- Распад мощности：714 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：Through Hole
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：9 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：170 A
- Состояние изделия：Active
- Технология：Si
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Канальный тип：N
Со склада 21
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
