(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTT8P50
Изображение служит лишь для справки
IXTT8P50
Lagernummer 21
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-268-3
- Материал：Si
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- СВХК：Yes
- Превышает Порог SVHC：Yes
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：500
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：8
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：130@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：130
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：3400@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：180000
- Время падения типового (ns)：35
- Время подъема типового сигнала (нс)：27
- Время задержки отключения типовая (сек)：35
- Время задержки включения типового (ns)：33
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Surface Mount
- Высота корпуса：5.1(Max)
- Ширина пакета：14(Max)
- Длина корпуса：16.05(Max)
- Плата изменена：2
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：TO-268
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：500 V
- Распад мощности：180 W
- Полярность транзистора：P-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：1.2 Ohms
- Id - Непрерывный ток разряда：8 A
- Состояние изделия：Active
- Технология：Si
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Канальный тип：P
Со склада 21
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
