(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTP32P05T
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 305
- 1+： $2.51857
- 10+： $2.37601
- 100+： $2.24152
- 500+： $2.11464
- 1000+： $1.99494
Zwischensummenbetrag $2.51857
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：TrenchP
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：50
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±15
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：32
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：46@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：46
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：1975@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：83000
- Время падения типового (ns)：27
- Время подъема типового сигнала (нс)：28
- Время задержки отключения типовая (сек)：39
- Время задержки включения типового (ns)：20
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：9.15(Max)
- Ширина пакета：4.83(Max)
- Длина корпуса：10.66(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：TO-220AB
- Квалификация：-
- Прямоходящий ток вывода Id：32A
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：83W
- Канальный тип：P
Со склада 305
- 1+： $2.51857
- 10+： $2.37601
- 100+： $2.24152
- 500+： $2.11464
- 1000+： $1.99494
Итого $2.51857
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
