(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTP220N04T2
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 213
- 1+： $3.62180
- 10+： $3.41679
- 100+： $3.22339
- 500+： $3.04094
- 1000+： $2.86881
Zwischensummenbetrag $3.62180
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：Unknown
- Пакет подготовки для производства：Unknown
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：TrenchT2
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：40
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：220
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：112@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：112
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：6820@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：360000
- Время падения типового (ns)：21
- Время подъема типового сигнала (нс)：21
- Время задержки отключения типовая (сек)：31
- Время задержки включения типового (ns)：15
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：175
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：9.15(Max)
- Ширина пакета：4.83(Max)
- Длина корпуса：10.66(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：TO-220
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Канальный тип：N
Со склада 213
- 1+： $3.62180
- 10+： $3.41679
- 100+： $3.22339
- 500+： $3.04094
- 1000+： $2.86881
Итого $3.62180
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
