(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFA3N120
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 49
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.10.00.80
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：HiperFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：1200
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：3
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：39@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：39
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：1050@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：200000
- Время падения типового (ns)：18
- Время подъема типового сигнала (нс)：15
- Время задержки отключения типовая (сек)：32
- Время задержки включения типового (ns)：17
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Surface Mount
- Высота корпуса：4.83(Max)
- Ширина пакета：9.4(Max)
- Длина корпуса：10.41(Max)
- Плата изменена：2
- Tab：Tab
- Стандартное наименование упаковки：TO-263
- Поставщикская упаковка：D2PAK
- Форма вывода：Gull-wing
- Непрерывный ток стока：3(A)
- Дrain-Source On-Volt：1200(V)
- Классификация Температурной Выносливости：Military
- Формат упаковки：D2PAK
- Диапазон рабочей температуры：-55C to 150C
- Допустимый напряжений на затвор-исток：±20(V)
- Количество элементов：1
- Квантовозащитный：No
- Состояние изделия：Active
- Тип：Power MOSFET
- Число контактов：3
- Направленность：N
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：200(W)
- Канальный тип：N
Со склада 49
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
