(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTH02N250
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 879
- 1+： $13.63075
- 10+： $12.85920
- 100+： $12.13132
- 500+： $11.44464
- 1000+： $10.79683
Zwischensummenbetrag $13.63075
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- СВХК：Yes
- Превышает Порог SVHC：Yes
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：2500
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальное напряжение порога транзисторного ключа (В)：4.5
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：0.2
- Максимальный стоковый ток через затвор (нА)：100
- Максимальный стоковый ток (мкА)：5
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：7.4@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：7.4
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：116@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：83000
- Время падения типового (ns)：33
- Время подъема типового сигнала (нс)：19
- Время задержки отключения типовая (сек)：32
- Время задержки включения типового (ns)：19
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：21.46(Max)
- Ширина пакета：5.3(Max)
- Длина корпуса：16.26(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：TO-247AD
- MSL：-
- Квалификация：-
- Прямоходящий ток вывода Id：200mA
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：83W
- Канальный тип：N
Со склада 879
- 1+： $13.63075
- 10+： $12.85920
- 100+： $12.13132
- 500+： $11.44464
- 1000+： $10.79683
Итого $13.63075
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
