(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFP22N65X2M
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 383
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：650
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±30
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：22
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：37@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：37
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：2190@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：37000
- Время падения типового (ns)：18
- Время подъема типового сигнала (нс)：37
- Время задержки отключения типовая (сек)：42
- Время задержки включения типового (ns)：30
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：16.07(Max)
- Ширина пакета：4.9(Max)
- Длина корпуса：10.36(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：OVERMOLDED TO-220
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Канальный тип：N
Со склада 383
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
