(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFP8N85XM
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 21
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant
- ЭККН (США)：EAR99
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：850
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±30
- Максимальное напряжение порога транзисторного ключа (В)：5.5
- Температурный диапазон работы (°C)：-55 to 150
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：8
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：17@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：17
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：654@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：33000
- Время падения типового (ns)：23
- Время подъема типового сигнала (нс)：25
- Время задержки отключения типовая (сек)：32
- Время задержки включения типового (ns)：15
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Максимальное напряжение источника положительного затвора (В)：30
- Максимальное напряжение обратной связи диода (В)：1.4
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：16.07(Max)
- Ширина пакета：4.9(Max)
- Длина корпуса：10.36(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：OVERMOLDED TO-220
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Канальный тип：N
Со склада 21
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
