Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFN170N30P
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 34
- 1+: $30.33169
- 10+: $28.61480
- 100+: $26.99510
- 500+: $25.46707
- 1000+: $24.02554
Zwischensummenbetrag $30.33169
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ:Compliant with Exemption
- ЭККН (США):EAR99
- HTS:8541.29.00.95
- Автомобильные:No
- Пакет подготовки для производства:No
- Категория:Power MOSFET
- Технология производства:HiperFET
- Режим канала:Enhancement
- Число элементов на чипе:1
- Максимальное напряжение источника тока (В):300
- Максимальное напряжение источника транзистора (В):±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А):138
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC):258@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк):258
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ):20@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт):890000
- Время падения типового (ns):16
- Время подъема типового сигнала (нс):29
- Время задержки отключения типовая (сек):79
- Время задержки включения типового (ns):41
- Минимальная температура работы (°C):-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C):150
- Монтаж:Screw
- Высота корпуса:9.6(Max)
- Ширина пакета:25.42(Max)
- Длина корпуса:38.23(Max)
- Плата изменена:4
- Стандартное наименование упаковки:SOT
- Поставщикская упаковка:SOT-227B
- Форма вывода:Screw
- Состояние изделия:Active
- Число контактов:4
- Конфигурация:Single Dual Source
- Канальный тип:N
Со склада 34
- 1+: $30.33169
- 10+: $28.61480
- 100+: $26.99510
- 500+: $25.46707
- 1000+: $24.02554
Итого $30.33169