Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFH50N85X
Изображение служит лишь для справки
IXFH50N85X
Lagernummer 1298
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:TO-247-3
- Евро РОШ:Compliant with Exemption
- ЭККН (США):EAR99
- HTS:8541.29.00.95
- СВХК:Yes
- Превышает Порог SVHC:Yes
- Автомобильные:No
- Пакет подготовки для производства:No
- Категория:Power MOSFET
- Режим канала:Enhancement
- Число элементов на чипе:1
- Максимальное напряжение источника тока (В):850
- Максимальное напряжение источника транзистора (В):±30
- Максимальный непрерывный ток утечки (А):50
- Максимальное сопротивление источника тока (мОм):105@10V
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC):152@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк):152
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ):4480@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт):890000
- Время падения типового (ns):14
- Время подъема типового сигнала (нс):30
- Время задержки отключения типовая (сек):69
- Время задержки включения типового (ns):27
- Минимальная температура работы (°C):-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C):150
- Монтаж:Through Hole
- Высота корпуса:21.45(Max)
- Ширина пакета:5.3(Max)
- Длина корпуса:16.24(Max)
- Плата изменена:3
- Tab:Tab
- Стандартное наименование упаковки:TO-247
- Поставщикская упаковка:TO-247AD
- Форма вывода:Through Hole
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:850 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:3.5 V
- Распад мощности:890 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 30 V, + 30 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Монтажные варианты:Through Hole
- Зарядная характеристика ворот:152 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:105 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:50 A
- Состояние изделия:Active
- Технология:Si
- Число контактов:3
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Канальный тип:N
Со склада 1298
Итого $0.00000