(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTQ150N15P
Изображение служит лишь для справки
IXTQ150N15P
Lagernummer 385
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-3P-3
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：PolarHT
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：150
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：150
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：190@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：190
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：5800@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：714000
- Время падения типового (ns)：28
- Время подъема типового сигнала (нс)：33
- Время задержки отключения типовая (сек)：100
- Время задержки включения типового (ns)：30
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：175
- Монтаж：Through Hole
- Ширина пакета：4.9(Max)
- Длина корпуса：15.8(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Стандартное наименование упаковки：TO-3P
- Поставщикская упаковка：TO-3P
- Форма вывода：Through Hole
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：150 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：5 V
- Распад мощности：714 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：Through Hole
- Зарядная характеристика ворот：190 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：13 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：150 A
- Состояние изделия：Active
- Технология：Si
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Канальный тип：N
Со склада 385
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
