(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTN200N10T
Изображение служит лишь для справки
IXTN200N10T
Lagernummer 352
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：SOT-227-4
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：100
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：200
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：152@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：152
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：9400@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：550000
- Время падения типового (ns)：34
- Время подъема типового сигнала (нс)：31
- Время задержки отключения типовая (сек)：45
- Время задержки включения типового (ns)：35
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：175
- Монтаж：Screw
- Ширина пакета：25.42(Max)
- Длина корпуса：38.23(Max)
- Плата изменена：4
- Поставщикская упаковка：SOT-227B
- Обратное напряжение：50 V
- Распад мощности：550 W
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：Chassis Mount
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：5.5 mOhms
- Состояние изделия：Active
- Тип：Trench
- Подкатегория：Discrete Semiconductor Modules
- Технология：Si
- Число контактов：4
- Конфигурация：Single
- Тип продукта：Discrete Semiconductor Modules
- Канальный тип：N
- Продукт：Power MOSFET Modules
Со склада 352
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
