(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы 568-9495-1-ND
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- СВХК：Yes
- Превышает Порог SVHC：Yes
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：100
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：20
- Максимальное напряжение порога транзисторного ключа (В)：4
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：100
- Максимальный стоковый ток через затвор (нА)：100
- Максимальный стоковый ток (мкА)：10
- Максимальное сопротивление источника тока (мОм)：5.6@10V
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：141@10V|130@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：141|130
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：8061@50V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：306000
- Время падения типового (ns)：34
- Время подъема типового сигнала (нс)：46
- Время задержки отключения типовая (сек)：83
- Время задержки включения типового (ns)：31
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：175
- Пакетирование：Tape and Reel
- Состояние изделия：Active
- Конфигурация：Single
- Канальный тип：N
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
