(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IRHMK593160
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Материал：Si
- Евро РОШ：Not Compliant
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：R5
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：100
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальное напряжение порога транзисторного ключа (В)：4
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：45
- Максимальный стоковый ток через затвор (нА)：100
- Максимальный стоковый ток (мкА)：10
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：170(Max)@12V
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：6110@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：208000
- Время падения типового (ns)：45(Max)
- Время подъема типового сигнала (нс)：140(Max)
- Время задержки отключения типовая (сек)：70(Max)
- Время задержки включения типового (ns)：35(Max)
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：13.84(Max)
- Ширина пакета：6.6(Max)
- Длина корпуса：13.84(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：TO-254AA
- Состояние изделия：Preliminary
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Канальный тип：P
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
