(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы 2N6847UJANTXV
Изображение служит лишь для справки
2N6847UJANTXV
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Not Compliant
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：HEXFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：200
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：2.1
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：15(Max)@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：15(Max)
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：330@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：14000
- Время падения типового (ns)：50(Max)
- Время подъема типового сигнала (нс)：70(Max)
- Время задержки отключения типовая (сек)：40(Max)
- Время задержки включения типового (ns)：50(Max)
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Поставщикская температура классификация：Military
- Монтаж：Surface Mount
- Высота корпуса：2.92(Max)
- Ширина пакета：7.49(Max)
- Длина корпуса：9.14(Max)
- Плата изменена：18
- Стандартное наименование упаковки：LLCC
- Поставщикская упаковка：LLCC
- Форма вывода：No Lead
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：18
- Конфигурация：Single Hex Drain Octal Source Dual Gate
- Канальный тип：P
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
