Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IRHNJ597230
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Евро РОШ:Not Compliant
- ЭККН (США):Contact Export
- HTS:8541.29.00.95
- Автомобильные:No
- Пакет подготовки для производства:No
- Категория:Power MOSFET
- Режим канала:Enhancement
- Число элементов на чипе:1
- Максимальное напряжение источника тока (В):200
- Максимальное напряжение источника транзистора (В):±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А):8
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC):45(Max)@12V
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ):1344@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт):75000
- Время падения типового (ns):105(Max)
- Время подъема типового сигнала (нс):35(Max)
- Время задержки отключения типовая (сек):50(Max)
- Время задержки включения типового (ns):25(Max)
- Минимальная температура работы (°C):-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C):150
- Монтаж:Surface Mount
- Высота корпуса:2.61(Max)
- Ширина пакета:10.28(Max)
- Длина корпуса:7.64(Max)
- Плата изменена:3
- Стандартное наименование упаковки:SMD
- Поставщикская упаковка:SMD-0.5
- Форма вывода:No Lead
- Описание пакета:HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-0.5, 3 PIN
- Форма упаковки:CHIP CARRIER
- Материал корпуса пакета:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:No
- Артикул Производителя:IRHNJ597230
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Infineon Technologies AG
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска:5.35
- Максимальный ток утечки (ID):8 A
- Код JESD-609:e0
- Состояние изделия:Active
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY
- Подкатегория:Other Transistors
- Положение терминала:BOTTOM
- Форма вывода:NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:3
- Нормативная Марка:RH - 100K Rad(Si)
- Код JESD-30:R-CBCC-N3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID):8 A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.505 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:32 A
- Минимальная напряжённость разрушения:200 V
- Канальный тип:P
- Рейтинг энергии лавины (Eas):75 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):75 W
Со склада 0
Итого $0.00000