Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
EM6AB160WKE-5H
-
Etron Technology
-
Разъемы памяти - Аксессуары
- -
- DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32M X 16 2.5V 60-Pin FBGA (Alt: EM6AB160WKE-5H)
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:60
- Артикул Производителя:EM6AB160WKE-5H
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Contact Manufacturer
- Производитель IHS:ETRON TECHNOLOGY INC
- Описание пакета:TBGA,
- Ранг риска:5.7
- Время доступа-максимум:0.7 ns
- Количество слов:33554432 words
- Количество кодовых слов:32000000
- Температура работы-Макс:70 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Код пакета:TBGA
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:GRID ARRAY, THIN PROFILE
- Номинальное напряжение питания (Вн):2.5 V
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Код ECCN:EAR99
- Дополнительная Характеристика:AUTO/SELF REFRESH
- Код ТН ВЭД:8542.32.00.28
- Положение терминала:BOTTOM
- Форма вывода:BALL
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Количество функций:1
- Шаг выводов:1 mm
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:R-PBGA-B60
- Напряжение питания максимальное (Vпит):2.7 V
- Градация температуры:COMMERCIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит):2.3 V
- Количество портов:1
- Режим работы:SYNCHRONOUS
- Организация:32MX16
- Максимальная высота посадки:1.2 mm
- Ширина памяти:16
- Плотность памяти:536870912 bit
- Тип микросхемы памяти:DDR DRAM
- Режим доступа:FOUR BANK PAGE BURST
- Автоперезапись:YES
- Длина:13 mm
- Ширина:8 mm
Со склада 0
Итого $0.00000